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[提問] 新款600V功率MOSFET降低了導通和開關損耗 [復制鏈接]

ningxueqin (離線)
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發表于 2019-7-17 17:10:15 |只看該作者 |倒序瀏覽
  VishayIntertechnology推出了第四代600VE系列功率MOSFET的首款器件:N溝道SiHP065N60E。下面具體來介紹一下。
  SiHP065N60E采用Vishay最新的節能E系列超級結技術構建,在10V柵源電壓下具有0.066Ω的極低最大導通電阻,比VISHAY前一代600VE系列MOSFET低約30%。
  新的超級結技術還降低了柵極電荷:在10V下僅為49nC,比早期的E系列器件低44%。
  這意味著SiHP065N60E的品質因數(導通電阻和柵極電荷的乘積)比同類產品中最接近的競爭MOSFET低25%。新器件提供的傳導和開關損耗的降低將幫助設計人員在功率因數校正電路和硬開關DC-DC轉換器拓撲中實現更高的能量效率。
  此外,在100°C的外殼溫度下,該MOSFET的額定最大連續漏電流為25A。SiHP065N60E:導通電阻降低30%。
  富昌電子[Future Electronics]是全球知名的[erp-power]等數百家全球知名半導體供應商,覆蓋[開關穩壓器]等眾多產品線,熱門料號包括[C1005X5R0J475K050BC]。富昌電子https://www.futureelectronics.cn
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